华硕常压烧结碳化硅HS-SiC理化指标
| 性能 | 单位 | HS-A | HS-P | HS-XA |
|---|---|---|---|---|
| 晶体尺寸 | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| 密度 | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3.1 |
| 努普硬度 | Kg/mm² | 2800 | 2800 | 2800 |
| 四点弯曲抗弯强度（室温） | MPa*m1/2 *10³1b/in² |
385 55 |
240 55 |
420 55 |
| 抗压强度（室温） | Mpa *10³1b/in² |
3900 560 |
3900 560 |
|
| 弹性模量（室温） | Gpa *10³1b/in² |
410 59 |
400 58 |
410 59 |
| 韦伯模量（2参数） | 8 | 19 | 12 | |
| 柏松比 | 0.14 | 0.14 | 0.14 | |
| 断裂韧性（室温） | MPa*m1/2 *1³1b/in²in½ |
8 |
8 |
8 |
| 热膨胀系数（室温至700°C） | X10-6mm/mmK X10-6 in/in°F |
4.02 2.2 |
4.2 2.3 |
4.02 2.2 |
| 最高使用温度 | °C J/gmK |
1900 0.67 |
1900 0.59 |
1900 0.67 |
| 热传导率@室温 | W/mK Btu/ft h°F |
125.6 72.6 |
110 64 |
125.6 72.6 |
| @200°C | W/mK Btu/ft h°F |
102.6 59.3 |
102.6 59.3 |
|
| @400°C | W/mK Btu/ft h°F |
77.5 44.8 |
77.5 44.8 |
|
| 渗透率@室温 1000°C | 31MPa以内无气体泄漏 | |||
| 电阻率 | Ohm-cm | 102-106 | N/A | 102-106 |
| 热辐射系数 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | |
| 性能 | 华硕常压烧结碳化硅HS-SiC | 反应结合碳化硅 | 碳化钨 | 氧化铝 |
|---|---|---|---|---|
| 成分 | SiC | SiC+10%Si | WC+6%Co | A12O3 |
密度
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
3.10
反应结合碳化硅
3.00
碳化钨
14.50
氧化铝
3.93
破坏韧性
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
4
反应结合碳化硅
4.5
碳化钨
9
氧化铝
2.5
弹性模量
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
410
反应结合碳化硅
360
碳化钨
400
氧化铝
380
热膨胀系数
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
4*10-1
反应结合碳化硅
5*10-1
碳化钨
氧化铝
7.6*10-6
努普硬度
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
2800
反应结合碳化硅
2700
碳化钨
1880
氧化铝
2200
热传导率
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
126
反应结合碳化硅
95
碳化钨
110
氧化铝
20
抗弯强度
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
385(55)
反应结合碳化硅
110(16)
碳化钨
570(83)
氧化铝
300(43)
比热
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
0.67
反应结合碳化硅
0.80
碳化钨
0.95
氧化铝
0.90
抗压强度
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
3970(560)
反应结合碳化硅
碳化钨
7900(1140)
氧化铝
3450(500)
空气中最高使用温度
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
1900
反应结合碳化硅
1200
碳化钨
900
氧化铝
1400
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
1.5
反应结合碳化硅
50.0
碳化钨
>1000
氧化铝
65.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 98%H2SO4 | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
0.5
碳化钨
>1000
氧化铝
7.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 70%HNO3 | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
2.5
反应结合碳化硅
>1000
碳化钨
5.0
氧化铝
75.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 50%NaOH | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
>1000
碳化钨
3.0
氧化铝
60.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 45%KOH | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
7.0
碳化钨
8.0
氧化铝
20.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 53%HF | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
0.9
碳化钨
85.0
氧化铝
72.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 25%HCI | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
8.0
碳化钨
55.0
氧化铝
>1000
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 85%H2PO4 | 100℃ |
腐蚀速度(mg/cm2yr)
华硕常压烧结碳化硅HS-SiC
<0.2
反应结合碳化硅
>1000
碳化钨
>1000
氧化铝
16.0
| 试剂及其浓度 | 温度 |
|---|---|
| 10%HF plus 57% HNO3 | 100℃ |
* 测试环境：液体中浸没125-300小时，并不断搅动。